該模塊傳感器fet的核心技術(shù)包括介質(zhì)諧振振蕩器和微帶接插天線，這些技術(shù)傳感器fet的結(jié)合使得傳感器具有低電流消耗傳感器fet的特性，即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能微波移動傳感器傳感器fet的靈敏度極高，且擁有扁平的外形設(shè)計(jì)，這使得它在保持高性能的同時(shí)，成本也相對低廉，成為理想的移動檢測解決方案其工作原理中，基波振動是由GAS FET。

當(dāng)Is與Im都為正值時(shí)，霍爾電壓Vh為正則為p型為負(fù)是n型 霍爾效應(yīng)可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)，以及判斷材料的導(dǎo)電類型，是研究半導(dǎo)體材料的重要手段還可以用霍爾效應(yīng)測量直流或交流電路中的電流強(qiáng)度和功率以及把直流電流轉(zhuǎn)成交流電流并對它進(jìn)行調(diào)制放大用霍爾效應(yīng)制作的傳感器。

通常的做法是為無偏置傳感器增加一個(gè)短路FET，以便在從電路中斷電時(shí)，參考電極和工作電極一起短路剩余電阻為幾十歐姆這確保了當(dāng)電路關(guān)閉時(shí)工作電極保持與參考電極相同的電位只要通電，短路FET通常是開路的這種“零偏壓”狀態(tài)確保當(dāng)您重新接通電路時(shí)，傳感器立即就緒如果您不使用短路FET并在電路。

HB100 微波移動傳感器是X 波段移動傳感多譜勒模塊，其由多普勒效應(yīng)收發(fā)機(jī)模塊利用 DRO介質(zhì)諧振振蕩器和微帶接插天線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低電流消耗高溫穩(wěn)定性高靈敏 度和扁平外形，是理想的低成本移動檢測器其基波振動是由GAS FET 介質(zhì)，諧振振動 器DRO不會產(chǎn)生輻射諧波模塊采用表面安裝組件，體積。